輸入輸出點(diǎn)數(shù)：4096點(diǎn)。
輸入輸出數(shù)據(jù)設(shè)備點(diǎn)數(shù)：8192點(diǎn)。
程序容量：124k。
基本命令處理速度(LD命令)：0.075μS。
指令執(zhí)行所需的時(shí)間和用戶程序的長短、指令的種類和CPU執(zhí)行速度是有很大關(guān)系，
一般來說，一個(gè)掃描的過程中，故障診斷時(shí)間，
通信時(shí)間，輸入采樣和輸出刷新所占的時(shí)間較少，
執(zhí)行的時(shí)間是占了絕大部分Q64PN
光電耦合器由兩個(gè)發(fā)光二極度管和光電三極管組成。
發(fā)光二級(jí)管：在光電耦合器的輸入端加上變化的電信號(hào)，
發(fā)光二極管就產(chǎn)生與輸入信號(hào)變化規(guī)律相同的光信號(hào)。
輸入接口電路工作過程：當(dāng)開關(guān)合上，二極管發(fā)光，
然后三極管在光的照射下導(dǎo)通，向內(nèi)部電路輸入信號(hào)。
當(dāng)開關(guān)斷開，二極管不發(fā)光，三極管不導(dǎo)通。向內(nèi)部電路輸入信號(hào)。
也就是通過輸入接口電路把外部的開關(guān)信號(hào)轉(zhuǎn)化成PLC內(nèi)部所能接受的數(shù)字信號(hào)。
光電三級(jí)管：在光信號(hào)的照射下導(dǎo)通，導(dǎo)通程度與光信號(hào)的強(qiáng)弱有關(guān)。
在光電耦合器的線性工作區(qū)內(nèi)，輸出信號(hào)與輸入信號(hào)有線性關(guān)系。
用戶程序存儲(chǔ)容量：是衡量可存儲(chǔ)用戶應(yīng)用程序多少的指標(biāo)。
通常以字或K字為單位。16位二進(jìn)制數(shù)為一個(gè)字，
每1024個(gè)字為1K字。PLC以字為單位存儲(chǔ)指令和數(shù)據(jù)。
一般的邏輯操作指令每條占1個(gè)字。定時(shí)/計(jì)數(shù)，
移位指令占2個(gè)字。數(shù)據(jù)操作指令占2~4個(gè)字。擴(kuò)展SRAM卡 2MB
更好的用戶體驗(yàn)數(shù)據(jù)記錄功能。
記錄方便，無需程序。
只需通過專門的配置工具向?qū)лp松完成設(shè)置，
便可將收集的數(shù)據(jù)以CSV格式保存到SD存儲(chǔ)卡。
可有效利用已保存的CSV文件方便地創(chuàng)建各種參考資料，
包括日常報(bào)告、生成報(bào)表及一般報(bào)告。
這些資料可應(yīng)用于啟動(dòng)時(shí)的數(shù)據(jù)分析、追溯等。串行ABS同步編碼器輸入可使用臺(tái)數(shù)：2臺(tái)/個(gè)模塊。
位置檢測方式：編對值（ABS）方式。
傳輸方式：串行通信。
允許跟蹤目標(biāo)輸入點(diǎn)數(shù)：2點(diǎn)。
方便處理大容量數(shù)據(jù)。
以往無法實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)RAM和SRAM卡文件寄存器區(qū)域的連續(xù)存取，
在編程時(shí)需要考慮各區(qū)域的邊界。
在高速通用型QCPU中安裝了8MB SRAM擴(kuò)展卡，
可將標(biāo)準(zhǔn)RAM作為一個(gè)連續(xù)的文件寄存器，
容量最多可達(dá)4736K字，從而簡化了編程。
因此，即使軟元件存儲(chǔ)器空間不足，
也可通過安裝擴(kuò)展SRAM卡，方便地?cái)U(kuò)展展文件寄存器區(qū)域。
變址寄存器擴(kuò)展到了32位，從而使編程也可超越了傳統(tǒng)的32K字，
并實(shí)現(xiàn)變址修飾擴(kuò)擴(kuò)展到文件寄存器的所有區(qū)域。
另外，變址修飾的處理速度對結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)（陣列）的高效運(yùn)算起著重要作用，
該速度現(xiàn)已得到提高。
當(dāng)變址修飾用于反復(fù)處理程序（例如從FOR到NEXT的指令等）中時(shí)，可縮短掃描時(shí)間。