運(yùn)算控制方式：存儲程序反復(fù)運(yùn)算。
內(nèi)置CC-Link IE。
輸入輸出點(diǎn)數(shù)：4096點(diǎn)。
程序容量：1200K。
提高恒定周期中斷程序的速度。
執(zhí)行恒定周期中斷程序的小間隔可縮短到50μs，
可編程控制器可切實(shí)讀取更高速的信號三菱RX42C4。
此外，還可為中斷程序設(shè)定優(yōu)先度，
在中斷處理時(shí)執(zhí)行優(yōu)先度高的中斷程序RX42C4
因此，在高速讀取信號時(shí)，也可通過常規(guī)的輸入模塊+CPU模塊的恒定周期中斷程序讀取信號。
程序容量：1200K。
多1200K步的程序容量。
實(shí)現(xiàn)運(yùn)動(dòng)控制的多CPU系統(tǒng)。
CPU模塊內(nèi)置2個(gè)支持千兆位的網(wǎng)絡(luò)端口三菱RX42C4。
便于進(jìn)行數(shù)據(jù)管理的數(shù)據(jù)庫功能。
內(nèi)置安全功能的擴(kuò)展SRAM卡。
可進(jìn)行各種運(yùn)動(dòng)控制(位置、速度、扭矩、同步控制等）。
符合國際安全標(biāo)準(zhǔn)（ ISO 13849-1 PL e、 IEC 61508 SIL 3）的安全CPU。
適合從計(jì)算機(jī)/微機(jī)環(huán)境進(jìn)行移植的C/C++語言編程三菱RX42C4。模擬量輸入通道數(shù)：4CH。
可使用的熱電偶：B、R、S、K、E、J、T、N、U、L、PLⅡ、W5Re/W26Re。
可使用的測溫電阻：PT100、JPt100。
采樣周期［4CH］：250ms/500ms。
控制輸出周期：0.5s～100.0s。
輸入阻抗：1MΩ。
輸入濾波器（0：輸入濾波器OFF）：0～100s三菱主基板。
傳感器補(bǔ)償值設(shè)定：負(fù)端輸入范圍的全范圍～輸入范圍的全范圍。
傳感器輸入斷線時(shí)的動(dòng)作：按比例放大處理。
溫度控制方式：PID ON/OFF脈沖或2位置控制
加熱器斷線檢測規(guī)格：無。
外部配線連接方式：18點(diǎn)螺釘端子臺。
MELSEC iQ-R系列 溫度調(diào)節(jié)模塊實(shí)現(xiàn)了高穩(wěn)定性和響應(yīng)性的溫度控制三菱主基板。
分為熱電偶輸入、測溫電阻輸入兩種輸入類型，
這兩種輸入類型又分別按帶/不帶加熱器斷線檢測功能進(jìn)行區(qū)分。
通過外部干擾的影響，減少不合格產(chǎn)品的發(fā)生率，
提高生活效率和產(chǎn)品品質(zhì)利用外部干擾功能，
可迅速衰減因外部干擾而引起的溫度變動(dòng)，
確保在規(guī)定溫度范圍內(nèi)進(jìn)行產(chǎn)品加工，減少不合格產(chǎn)品的發(fā)生率三菱主基板。
此功能對產(chǎn)品包裝機(jī)和射出成型機(jī)、半導(dǎo)體制造裝置的晶片加熱板等會(huì)定期發(fā)生外部干擾的裝置非常有效。安全度等級（SIL）：SIL 3（IEC 61508）。
性能等級（ PL）：PL e（EN/ISO 13849-1）。
運(yùn)算控制方式：存儲程序反復(fù)運(yùn)算。
程序容量：1200K（安全程序用：40K）。
程序內(nèi)存：4800K。
軟元件/標(biāo)簽內(nèi)存：3370K。
數(shù)據(jù)內(nèi)存：40M。
統(tǒng)一程序開發(fā)環(huán)境。
無論是一般控制程序還是安全控制程序，都可以整合為１個(gè)工程文件，
由GX Works3統(tǒng)一進(jìn)行管理。可省去管理多個(gè)工程文件的煩瑣操作。
在創(chuàng)建安全控制程序時(shí)，也和創(chuàng)建一般控制程序時(shí)相同，
可使用支持程序開發(fā)的GXXWorks3的各種功能RX42C4。
通過高響應(yīng)性和豐富的程序容量提高生產(chǎn)效率。
有效利用高性性能的MELSEC iQ-R系列和CC-Link IE Field網(wǎng)絡(luò)，
提高響應(yīng)性，改善生產(chǎn)效率三菱RX42C4。
此外，安全控制用程序容量增加到40K步,約為以往的3倍。
可通過使用安全CPU，處理復(fù)雜的大容量程序。